mosfet在数字电路上应用的另外一大优势是对直流（dc）信号而言，mosfet的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从mosfet的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。这让mosfet和他们最主要的竞争对手bjt相较之下更为省电，而且也更易于驱动。在cmos逻辑电路里，除了负责驱动芯片外负载（off-chip load）的驱动器（driver）外，每一级的逻辑门都只要面对同样是mosfet的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下，bjt的逻辑电路（例如最常见的ttl）就没有这些优势。mosfet的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点，例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应（loading effect）。
场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：
　　1、idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压ugs=0时的漏源电流。
　　2、up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
　　3、ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
　　4、gm—跨导。是表示栅源电压ugs—对漏极电流id的控制能力，即漏极电流id变化量与栅源电压ugs变化量的比值。gm是衡量场效应管放大能力的重要参数。
mos场效应管电源开关电路mos场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(metaloxidesemiconductor fieldeffect transistor, mosfet)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型mos场效应管可分为npn型pnp型。npn型通常称为n沟道型，pnp型也叫p沟道型。对于n沟道的场效应管其源极和漏极接在n型半导体上，同样对于p沟道的场效应管其源极和漏极则接在p型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

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