mosfet在数字电路上应用的另外一大优势是对直流（dc）信号而言，mosfet的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从mosfet的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。这让mosfet和他们最主要的竞争对手bjt相较之下更为省电，而且也更易于驱动。在cmos逻辑电路里，除了负责驱动芯片外负载（off-chip load）的驱动器（driver）外，每一级的逻辑门都只要面对同样是mosfet的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下，bjt的逻辑电路（例如最常见的ttl）就没有这些优势。mosfet的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点，例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应（loading effect）。
结型场效应管（jfet）
1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是n沟道结型场效应管和p沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。
电路符号中栅极的箭头
方向可理解为两个pn结的正向导电方向。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
mosfet：
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, mosfet）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。mosfet依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“n型”与“p型” 的两种类型，通常又称为nmosfet与pmosfet，其他简称尚包括nmos、pmos等。

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