以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n+和漏扩散区n+，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极并使vgs=0时，沟道电流（即漏极电流）id=0。随着vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的n型沟道，当vgs大于管子的开启电压vtn（一般约为+2v）时，n沟道管开始导通，形成漏极电流id。
3：场效应管电流ids与栅极ugs之间的关系由跨导gm 决定，晶体管电流ic与ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。
4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。
5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。
型号命名：
有两种命名方法。
第1种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，o代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，d是p型硅，反型层是n沟道；c是n型硅p沟道。例如,3dj6d是结型p沟道场效应三极管，3do6c是绝缘栅型n沟道场效应三极管。
第二种命名方法是cs××#，cs代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如cs14a、cs45g等。

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