测量方法：
电阻法测电极
根据场效应管的pn结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个
电极。具体方法：将万用表拨在r×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极d和源极s。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极g。
数字电路
数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代mosfet更多的动力，这也使得mosfet本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中最快的一种。mosfet在数字信号处理上最主要的成功来自cmos逻辑电路的发明，这种结构最1大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。cmos逻辑门最基本的成员是cmos反相器（inverter），而所有cmos逻辑门的基本操作都如同反相器一样，在逻辑转换的瞬间同一时间内必定只有一种晶体管（nmos或是pmos）处在导通的状态下，另一种必定是截止状态，这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径，大量节省了电流或功率的消耗，也降低了集成电路的发热量。
3：场效应管电流ids与栅极ugs之间的关系由跨导gm 决定，晶体管电流ic与ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。
4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。
5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。

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