今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为首1选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如ibm使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process,sige process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide,gaas），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造mosfet元件。
数字电路
数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代mosfet更多的动力，这也使得mosfet本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中最快的一种。mosfet在数字信号处理上最主要的成功来自cmos逻辑电路的发明，这种结构最1大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。cmos逻辑门最基本的成员是cmos反相器（inverter），而所有cmos逻辑门的基本操作都如同反相器一样，在逻辑转换的瞬间同一时间内必定只有一种晶体管（nmos或是pmos）处在导通的状态下，另一种必定是截止状态，这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径，大量节省了电流或功率的消耗，也降低了集成电路的发热量。
常见的场效应管：
mos场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为mosfet （metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（zui高可达1015ω）。它也分n沟道管和p沟道管。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。

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