3：场效应管电流ids与栅极ugs之间的关系由跨导gm 决定，晶体管电流ic与ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。
4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。
5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。
交流参数
交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100ms，甚至更高。
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。。。。。。。。。。。。。。
日本命名法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
　　第1部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
　　第二部分：日本电子工业协会jeia注册标志。s-表示已在日本电子工业协会jeia注册登记的半导体分立器件。
　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。a-pnp型高频管、b-pnp型低频管、c-npn型高频管、d-npn型低频管、f-p控制极可控硅、g-n控制极可控硅、h-n基极单结晶体管、j-p沟道场效应管、k-n沟道场效应管、m-双向可控硅。
　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会jeia登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会jeia登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
　　第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。a、b、c、d、e、f表示这一器件是原型号产品的改进产品。
如2sk134为n沟道mosfet，2sj49为p沟道mosfet。

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