极限参数
①zui大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，
②zui大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子zui高工作温度的限制，
③zui大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，
④zui大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。
除以上参数外，还有极间电容、高频参数等其他参数。
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的uds。
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的pn结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
型号命名：
有两种命名方法。
第1种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，o代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，d是p型硅，反型层是n沟道；c是n型硅p沟道。例如,3dj6d是结型p沟道场效应三极管，3do6c是绝缘栅型n沟道场效应三极管。
第二种命名方法是cs××#，cs代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如cs14a、cs45g等。
mosfet：
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, mosfet）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。mosfet依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“n型”与“p型” 的两种类型，通常又称为nmosfet与pmosfet，其他简称尚包括nmos、pmos等。

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