判断跨导的大小
测反向电阻值的变化判断跨导的大小.对vmosv沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极s、黑表笔接漏极d，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在r×10kω的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极g时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
常见的场效应管：
mos场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为mosfet （metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（zui高可达1015ω）。它也分n沟道管和p沟道管。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
组成
fet由各种半导体构成，目前硅是最常见的。大部分的fet是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。
大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。。。。。。。。。。。。

---

苏州硅能半导体科技股份有限公司

13706133706
中国 苏州